دانلود پایان نامه ارشد:افزایش قابلیت اطمینان و راندمان منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما

متن کامل پایان نامه مقطع کارشناسی ارشد رشته : برق قدرت

گرایش :الکترونیک قدرت

عنوان : افزایش قابلیت اطمینان و راندمان منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما

موسسه آموزش عالی مازیار

دانشگاه مازیار

دانشکده فنی ومهندسی برق مازیار نور

 پایان نامه دوره کارشناسی ارشد در رشته برق قدرت گرایش الکترونیک قدرت

 

موضوع:

افزایش قابلیت اطمینان و راندمان منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما

استاد راهنما:

دکتر عبدالرضا اسماعیلی

 

استاد مشاور:

دکتر سید محمود سادات کیایی

 

اساتید داور:

دکتر سیدمهدی حسینی،دکتر سعیدلسان

تیرماه 1392

برای رعایت حریم خصوصی نام نگارنده پایان نامه درج نمی شود(در فایل دانلودی نام نویسنده موجود است)تکه هایی از متن پایان نامه به عنوان نمونه :(ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است)چکیده:استفاده از منابع توان پالسی در فرآیندهای مختلف پلاسما با توجه به ارتباط برقرار شده بین آنها رو به افزایش است. با توجه به تحقیقات به عمل آمده در این مورد، طراحی منابع توان پالسی با هدف کاهش تلفات و افزایش راندمان، می تواند تاثیرات مهمی درکاربردهای پلاسما داشته باشد. اساس فناوری سیستم توان پالسی بر پایه ذخیره انرژی زیاد در زمان نسبتا طولانی و آزاد کردن خیلی سریع آن می باشد که هدف از فرآیند آزاد سازی انرژی، افزایش توان لحظه ای آن است. از ویژگی های بارز منابع توان پالسی جهت افزایش راندمان و قابلیت اطمینان، پیچیدگی ها و ریزه کاری آن است. بهبود راندمان و قابلیت اطمینان در منابع توان پالسی با توجه به کاربرد آن در پلاسما، ارتباط اساسی با مشخصات سیستم های توان پالسی دارد. این پایان نامه یک توپولوژی جدید مبتنی بر مبدل باک- بوست اصلاح شده (مثبت) در ورودی مدار منبع توان پالسی پلاسما پیشنهاد می دهد. بر اساس این توپولوژی در محدوده ای مشخص در منبع توان پالسی پلاسما، مجموعه ای از کلید- دیود- خازن به صورت متوالی اتصال دارند که جهت تولید ولتاژ و dv/dt  بالا به کار می رود. مولفه های کلیدی توپولوژی پیشنهادی برای افزایش قابلیت اطمینان و راندمان عبارتنداز: ساختارتوپولوژی جدید مبتنی بر مبدل DC-DC ، استفاده از روش کنترلی مناسب(منبع ولتاژ) و تعیین مقدار انرژی ذخیره شده در المان های اصلی مدار (سلف و خازن). بنابراین توپولوژی ارائه شده به آسانی قابلیت تنظیم، ارتقا و توسعه با دامنه وسیعی درکاربردهای متنوع منابع توان پالسی را دارا می باشد. توپولوژی پیشنهادی مطرح شده با توجه به تاثیر مولفه های کلیدی آن، با دقت کامل از اجرای شبیه سازی در محیط نرم افزار MATLAB/SIMULINK به دست آمده است که با بررسی نتایج شبیه سازی، کارایی و قابل اجرا بودن این توپولوژی را جهت انجام اهداف مورد نظر که همان تولید پالس های قدرت بالا با ولتاژ زیاد و بهبود راندمان و قابلیت اطمینان منابع توان پالسی پلاسما است، تائید می کند .واژه‌های کلیدی: توپولوژی ،پلاسما ، قابلیت اطمینان و راندمان ،منبع توان پالسی، مبدل باک- بوست مثبت . فهرست مطالب
عنوانصفحه
فصل اول- آشنایی با ساختار منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما 1
1.1مقدمه 2.1 آشنایی با پلاسما 1.2.1 منحنی دشارژ گازی ولتاژ جریان پلاسما3.1  جنبه های کاربردی منابع توان پالسی در پلاسما  4.1 مبانی عملکرد منابع توان پالسی پلاسما         1.4.1مشخصات پالس های قدرت بالا در منابع توان پالسی2.4.1ذخیره سازی انرژی الکتریکی1.2.4.1 بانک خازنی2.2.4.1 مولد مارکس3.4.1 اصول کلید زنی در پلاسما4.4.1 شبکه های شکل دهی پالس (PEN)5.4.1 خط انتقال بلوملین (BLUMLEIN)5.1   اهداف مورد بررسی در این پایان نامه 6.1  نتیجه گیری فصل دوم- بررسی توپولوژی های موجود برای منابع توان پالسی مورد استفاده درپلاسما 1.2 مقدمه 2.2 توپولوژی های موجود برای منابع توان پالسی پلاسما 1.2.2 توپولوژی مبتنی بر مولد مارکس2.2.2 توپولوژی  مبتنی بر مبدل های dc  - dc1.2.2.2 مبدل باک (Buck)2.2.2.2 مبدل بوست (Boost) فهرست مطالب
عنوان 
3.2.2.2 مبدل باک - بوست (Boost -Buck)4.2.2.2 مبدل کاک (Cuk)5.2.2.2 مبدل های تشدیدی با کلیدزنی نرم3.2.2 توپولوژی  مبتنی بر تقویت کننده های ولتاژ4.2.2 توپولوژی مولدهای پالس مبتنی بر اینورترها3.2 روش های کنترلی مورد استفاده در منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما1.3.2روش کنترلی منبع ولتاژ2.3.2روش  کنترلی منبع جریان4.3.2  روش کنترلی پسماند4.2 نتیجه گیریفصل سوم -  طراحی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک بوست مثبت  برای منابع       توان پالسی مورد استفاده در پلاسما1.3 مقدمه 2.3 طراحی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک  بوست مثبت 1.2.3 آرایش مداری توپولوژی پیشنهادی2.2.3 حالت های کلید زنی توپولوژی پیشنهادی3.2.3 تحلیل مداری توپولوژی پیشنهادی4.2.3 محاسبه مقدارdv/dt  تولید شده ناشی از کلیدزنی گذرای توپولوژی پیشنهادی3.3 محاسبه انرژی ذخیره شده منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما مبتنی بر توپولوژی           پیشنهادی3.1.3 محاسبه مقادیر المان های منابع توان پالسی پلاسما2.3.3 محاسبه انرژی ذخیره شده  منابع توان پالسی پلاسما3.3.3 محاسبه انرژی ذخیره شده در حالت استفاده از خازن اضافی در منابع توان پالسی پلاسمافهرست مطالب
عنوان 
4.3 طراحی استراتژی کنترلی  منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی1.4.3 تحلیل روش کنترلی منبع ولتاژ  برای توپولوژی پیشنهادی در حالت یک طبقه2.4.3 طراحی و تحلیل روش کنترلی منبع ولتاژ برای توپولوژی پیشنهادی در حالت دو طبقه5.3 نتیجه گیریفصل چهارم- شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک بوست مثبت برای منابع     توان پالسی مورد استفاده در پلاسما1.4 مقدمه2.4 روند شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی برای منبع توان پالسی پلاسما1.2.4 تعیین مقادیر المان و مولفه های اصلی منابع توان پالسی پلاسما2.2.4 روش مدل سازی بار در توپولوژی پیشنهادی3.2.4 شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی در حالت یک طبقه4.2.4 شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی در حالت دو طبقه3.4 تخمین  انرژی ذخیره شده در منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی4.4 شبیه سازی dv/dt  تولید شده ناشی از کلیدزنی گذرای توپولوژی پیشنهادی5.4 نتیجه گیریفصل پنجم - بحث و نتیجه گیری- نتیجه گیری- مراجع     فهرست شکل ها
عنوانصفحه
فصل اول- آشنایی با ساختار منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسماشکل(1-1) نمایی از الکترودهای بکار رفته در پلاسماشکل(1-2) منحنی دشارژ گازی ولتاژ-جریان حالت dc پلاسماشکل (1-3) نمای کلی از ساختار منابع توان پالسیشکل (1-4) منحنی مشخصات یک پالس تولید شده در منابع توان پالسیشکل(1-5) نمونه ای از کمپرسور پالس مغناطیسیشکل (1-6) نمونه ای از بانک خازنی بکار رفته در منابع توان پالسیشکل(1-7) نمونه ای از مولد مارکس مورد استفاده در منابع توان پالسیشکل (1-8) مدارهای اصلی مورد استفاده در منابع توان پالسی با المان های ذخیره ساز انرژیشکل(1-9) نمونه ای از بانک خازنی با کلیدهای چندکانالهشکل (1-10) آرایش مختلفی از شبکه نردبانی مورد استفاده در شبکه های شکل دهی پالسشکل (1-11)  آرایش خط انتقال بلوملینفصل دوم- بررسی توپولوژی های موجود برای منابع توان پالسی مورد استفاده        در پلاسماشکل (2-1) الف) نمونه ای از توپولوژی مبتنی بر مولد مارکس، ب) حالت شارژ مولد ، ج) حالت دشارژ         شکل(2-2)مبدل باک (Buck) 
شکل(2-3)شکل موج های ولتاژ جریان و مدارمعادل مبدل باک  : (الف) کلید وصل  (ب) کلید قطعشکل(2-4)مبدل بوست (Boost)شکل(2-5)شکل موج های ولتاژ جریان و مدارمعادل مبدل بوست : (الف) کلید وصل (ب) کلید قطعشکل(2-6)مبدل باک - بوست (Boost -Buck)شکل(2-7) شکل موج های ولتاژ - جریان و مدارمعادل مبدل باک -  بوست : (الف) کلید وصل (ب) کلید قطعشکل(2-8) مبدل باک بوست مثبت ( Positive Buck-Boost ) فهرست شکل ها
عنوانصفحه
 شکل (2-9) مبدل کاک (Cuk)شکل (2-10)مدار معادل مبدل کاک در حالت های کلید زنی : الف) حالت وصل کلید ب) حالت قطع کلیدشکل (2-11) شکل موج های جریان و ولتاژ مبدل کاک در حالت های کلید زنیشکل (2-12) مبدل تشدید با کلیدزنی نرمشکل (2-13)تقویت کننده ولتاژ N طبقه کوک کرافت والتونشکل (2-14) توپولوژی های کنترلی مورد استفاده در یک منبع توان پالسی پلاسماشکل (2-15)روش کنترلی منبع ولتاژ در منابع توان پالسی پلاسماشکل(2-16)روش کنترلی منبع جریان مورد استفاده در منابع توان پالسی پلاسماشکل(2-17)روش کنترلی حلقه جریان پسماند برای کنترل جریان سلفی در منابع توان پالسی پلاسماشکل (2-18) روش کنترلی پسماند برای منابع توان پالسی پلاسمافصل سوم - طراحی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک بوست مثبت برای  منابع   توان پالسی مورد استفاده در پلاسماشکل(3-1) شمای کلی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک  بوست مثبت منبع توان پالسیشکل (3-2) منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی با یک مجموعه کلید- دیود- خازنشکل (3-3) منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی با دو مجموعه کلید- دیود- خازنشکل (3-4) مدل سازی توپولوژی پیشنهادی جهت تحلیل حالات کلیدزنی در منبع توان پالسیشکل(3-5) حالت کلیدزنی شارژ شدن سلف  در توپولوژی پیشنهادیشکل(3-6) حالت کلیدزنی عبور جریان سلفی  در توپولوژی پیشنهادیشکل(3-7) حالت کلیدزنی شارژ همزمان خازن ها  در توپولوژی پیشنهادیشکل(3-8) حالت تامین بار  در توپولوژی پیشنهادیشکل(3-9) حالت کلید زنی شارژ جداگانه خازن ها در توپولوژی پیشنهادیشکل (3-10) فلوچارت کنترلی پیشنهادیفهرست شکل ها
عنوانصفحه
فصل چهارم- شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک بوست مثبت برای منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسماشکل (4-1) شبیه سازی منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی یک طبقهشکل(4-2) شبیه سازی روش کنترلی منبع ولتاژ در توپولوژی پیشنهادیشکل(4-3) مولفه ولتاژ توپولوژی پیشنهادی در حالت یک طبقه: (الف) کلید Ss (ب) کلید S1شکل(4-4) مولفه جریان کلید بارSL توپولوژی پیشنهادی در حالت یک طبقهشکل (4-5) شبیه سازی منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی دو طبقهشکل(4-6) مولفه ولتاژ توپولوژی پیشنهادی - دو طبقه درحالت کلید زنی همزمان: (الف) خازنC1 یا کلید S1 (ب) خازنC2 یا کلید S2 (ج) کلید SLشکل(4-7) مولفه های اصلی توپولوژی پیشنهادی - دو طبقه درحالت کلید زنی جداگانه: (الف) ولتاژ خروجی (ب) جریان سلفی (ج) جریان خروجی(بار) IL (د) ولتاژ ورودیشکل (4-8) شبیه سازی پیشنهادی جهت تخمین میزان انرژی ذخیره شدهشکل(4-9) تخمین انرژی ذخیره شده در توپولوژی پیشنهادی: (الف)انرژی ذخیره شده در سلف (ب) انرژی ذخیره شده درخازن (ج) انرژی ذخیره شده در بارشکل(4-10)  جریان خازنی در حالت کلیدزنی گذرای توپولوژی پیشنهادیفهرست جدول ها
عنوانصفحه ه
فصل اول- آشنایی با ساختار منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسماجدول(1-1) شرح نواحی منحنی دشارژ گازی ولتاژ - جریان حالت dc پلاسماجدول (1-2) خلاصه ای از مشخصات منابع توان پالسی برای کاربردهای مختلفجدول(1-3) دامنه پالس های تولید شده در منابع توان پالسیجدول (1-4)مشخصات دو مدل از مولد مارکس نواریجدول (1-5)مشخصات مولد مارکس قطعه ای مدلA 43733جدول(1-6) کلیدهای نیمه هادی گازی در منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسمافصل دوم- بررسی توپولوژی های موجود برای منابع توان پالسی مورد استفاده در             پلاسماجدول(2-1) شاخص های کلیدی مبدل های dc - dcجدول(2-2) شاخص های کلیدی مبدل های تشدید با کلید زنی نرمفصل سوم - طراحی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک بوست مثبت  برای منابع  توان پالسی مورد استفاده در پلاسماجدول( 3-1) شاخص های کلیدی توپولوژی های مورد استفاه در منایع توان پالسی پلاسمافصل چهارم- شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک بوست مثبت  برای منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسماجدول (4-1) مقادیرمولفه و المان های  اصلی منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادیجدول(4-2) مقادیر dv/dt تولید شده در حالت کلیدزنی گذرای توپولوژی پیشنهادیجدول(4-3) خلاصه ای از مقایسه بین دو آرایش مختلف توپولوژی پیشنهادی منبع توان پالسی پلاسما
23556810111415171818 1920202022222325 صفحه26283032343535363739   40414242444851 51525354 صفحه5555565859 6061616262 636567697072 7376          346889910111617    2223242526272828      29293031343536373838  42434344454647474857    6364646565 66 6768   6970            467131315    3232    41   627071 
لیست علایم و اختصاراتAC                                                                                 ) Alternating Current جریان متناوب (BJT                                                      ) Bipolar Junction Transistorترانزیستور پیوند دو قطبی (CCM                                                     ) Continuous-Conduction-Modeحالت هدایت پیوسته (CDVM                           ( Capacitor-Diode Voltage Multiplier)تقویت کننده ولتاژ دیود و خازن   CSR                                                                 ) Converter Series Resonanمبدل تشدید سری (DC                                                                                          ) Direct Currentجریان مستقیم (EMI                                                  ) Electromagnetic Interferenceتداخلات الکترومغناطیسی (EMC    )                                           Electromagnetic Compatibilityسازگاری الکترومغناطیسی (HV                                                                                                     ) High Voltageولتاژ بالا (IGBT                             ) Insulated Gate Bipolar Transistorترانزیستور دوقطبی گیت عایق شده (MBL                                                   )Multistage Blumlein Linesخطوط بلوملین چند طبقه ای (MFC                                                      ) Magnetic Flux Compressorکمپرسور شار مغناطیسی (MG                                                                                          ) Marx Generatorمولد مارکس (MOSEFET ) Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistorترانزیستورنیمه هادی اکسید فلزی با اثر میدان(MPC                                                    )Magnetic Pulse Compressorکمپرسور پالس مغناطیسی (MVM                                                         ) Multilevel Voltage تقویت کننده ولتاژ چند سطحی (PEF                                                                    ( Pulsed Electric Fieldمیدان الکتریکی پالسی (PFC                                                   ) Power Factor Correctorsتنظیم کننده های ضریب قدرت (PFN                                                               ) Pulse Forming Networkشبکه شکل دهی پالس (SMPS                                     (Switched-Mode Power Supply)روش کلید زنی منابع توان پالسیZCS                                                                   )Zero Current Switchingکلید زنی جریان صفر (ZVS                                                                    ) Zero Voltage Switchingکلید زنی ولتاژ صفر (فصل اول آشنایی با ساختار منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما 1.1مقدمه اساس فناوری سیستم توان پالسی بر پایه ذخیره انرژی زیاد در زمان نسبتا طولانی و آزاد کردن خیلی سریع آن می باشد که هدف از فرآیند آزاد سازی انرژی، افزایش توان لحظه ای آن است. از مشخصه های کلیدی منابع توان پالسی می توان به سطح ولتاژ و مدت زمان افزایش آن که بر مبنای مشخصات بار مورد نیاز تعیین می شود، اشاره کرد]1[. روش های سازگاری منابع توان پالسی با بارهای متفاوت توسط تکنولوژی موجود، یکی از بحث های کلیدی فناوری سیستم توان پالسی مورد استفاده در پلاسما می باشد. استفاده از دانش پیشرفته و رویکردهای اخیر در الکترونیک قدرت و نیمه هادی ها به حساب سطح نیازمندی صنعتی و علمی آن است که باعث پیشرفت سریع منابع توان پالسی در دهه اخیر شده است.از ویژگی های بارز منابع توان پالسی جهت افزایش راندمان و قابلیت  اطمینان آن، پیچیدگی ها و ریزه کاری آن است]2[. کنترل بهینه روند تولید توان در منابع تولید توان پالسی یک روش مهم و حیاتی برای افزایش راندمان می باشد. از سوی دیگر استفاده از منابع توان پالسی با ولتاژ بالا نیازمند کلیدهای قدرت بالا می باشد که ولتاژ شکست و زمان کلید زنی آن محدودی است.2.1 آشنایی با پلاسماواژه "پلاسما" برای اولین بار در سال 1927 توسط ایروین لانگمویر[1] برای یک توده خنثی از ذرات باردار به کار رفت]3[. پلاسما را می توان با ایجاد یک اختلاف پتانسیل بین دو الکترود در یک محیط گازی بوجود آورد. میدان الکتریکی ایجاد شده بین دو الکترودهای آند و کاتد، باعث یونیزاسیون ذرات گاز خنثی و ایجاد مسیر هدایت می شود. در شکل(1-1) نمونه ای از الکترودها را نشان داده شده است. ساده ترین حالت، خطوط میدان الکتریکی بین آند و کاتد که در آن میدان الکتریکی تقریبا یکنواخت است، به اندازه و شکل الکترودها(دو الکترود مسطح با یک شکاف کوچک در میان شان است) بستگی دارد]4[. شکل(1-1) نمایی از الکترودهای بکار رفته در پلاسما1.2.1 منحنی دشارژ گازی ولتاژ جریان پلاسماشکل (1-2) منحنی دشارژ گازی ولتاژ جریان الکترودها را در حالت dc  نشان می دهد]5[. این منحنی دارای چند ناحیه می باشد که نام نواحی در جدول (1-1) به صورت خلاصه بیان شده است.  ناحیه دشارژ تاریک پلاسما، که در آن دشارژ شروع می شود. هر چند که برای ایجاد حالت شکست، این دشارژ به صورت کافی ذرات را تحریک نمی کند. به این دشارژ  تاریک می گویند زیرا که در این حالت دشارژ هیچ گونه انتقال انرژی به الکترون ها صورت نمی گیرد تا منجر به انتشار نور مرئی شود. در دشارژ تاریک با یونیزاسیون، یون ها والکترون ها به تنهایی اشعه های کیهانی و اشکال دیگری از آن (مانند اشعه یونیزه کننده طبیعی) که با افزایش ولتاژ همراه است، تولید می کند. در حالت اشباع با یونیزاسیون، تمام ذرات باردار حذف و الکترون ها به علت یونیزاسیون انرژی کافی ندارند. در حالت تاونزند با شروع یونیزاسیون، میدان الکتریکی ایجاد و جریان و ولتاژ به صورت نمایی افزایش می یابد]6[. بین حالت تاونزند و شکست در پلاسما، ممکن است تخلیه کرونا صورت گیرد که در نتیجه میدان الکتریکی بر روی لبه های تیز الکترود متمرکز می شود. تخلیه کرونا می تواند به صورت مرئی یا تیره باشد که به میزان جریان عبوری از آن بستگی دارد. ناحیه دشارژ تابشی با حالت شکست شروع می شود و با تشکیل قوس الکتریکی به پایان می رسد. به طور عمده فرآیندهایی که منجر به شکل گیری حالت شکست و دشارژ تابشی می شود را می توان به دو گروه اصلی تقسیم کرد: (الف) فرآیندهای گازی پلاسما، که در آن یونیزاسیون از برخورد الکترون و یون صورت می گیرد. (ب) فرآیندهای کاتدی پلاسما، که در آن الکترون ها از کاتد آزاد می شوند. به این فرآیند، به علت ایجاد الکترون در آن، فرآیند ثانویه نیز می گویند]7[.    با مطالعه مقالات منتشر شده در این مورد می توان دریافت که جنس کاتد تاثیر زیادی درایجاد حالت شکست دارد. توسط فرآیند ثانویه می توان انواع انرژی تابشی را بصورت فتوالکتریک که در آن انرژی نوری باعث آزاد شدن الکترون ها می شود انتشار داد. در این مورد می توان به حالت گرما یونی در پلاسما نیز اشاره کرد، که در آن انرژی حرارتی باعث ایجاد الکترون و منجر به تولید میدان الکتریکی می شود. جرقه های ناشی از دشارژ در این حالت بسیار شدید است و دارای درخشندگی و چگالی جریان زیادی می باشد. قوس های ناشی از دشارژ را می توان معادل چگالی جریان زیاد در حد کیلو آمپر در سانتیمتر مربع در نظر گرفت. هرچند که شدت طبیعی قوس می تواند عامل فرسایش سریع تر الکترودها شود]9،8[.شکل(1-2)منحنی دشارژ گازی ولتاژ-جریان حالت dc پلاسماجدول(1-1) شرح نواحی منحنی دشارژ گازی ولتاژ-جریان حالت dc پلاسما
شماره123456789
نواحیدشارژ تاریکدشارژ تابشیحالت جرقه ایحالت یونیزاسیونحالت اشباعحالت کروناحالت تاونزندحالت شکستحالت تابشی
شماره10111213
نواحیحالت تابشی غیر عادیحالت انتقالی از تابشی به جرقهحالت حرارتیحالت حرارتی با جرقه 
1Irvine Langmuirتعداد صفحه : 95قیمت : 14000تومان

بلافاصله پس از پرداخت ، لینک دانلود پایان نامه به شما نشان داده می شود

و در ضمن فایل خریداری شده به ایمیل شما ارسال می شود.

پشتیبانی سایت :        09309714541 (فقط پیامک)        info@arshadha.ir

در صورتی که مشکلی با پرداخت آنلاین دارید می توانید مبلغ مورد نظر برای هر فایل را کارت به کارت کرده و فایل درخواستی و اطلاعات واریز را به ایمیل ما ارسال کنید تا فایل را از طریق ایمیل دریافت کنید.

--  -- --

مطالب مشابه را هم ببینید

فایل مورد نظر خودتان را پیدا نکردید ؟ نگران نباشید . این صفحه را نبندید ! سایت ما حاوی حجم عظیمی از پایان نامه های دانشگاهی است. مطالب مشابه را هم ببینید. برای یافتن فایل مورد نظر کافیست از قسمت جستجو استفاده کنید. یا از منوی بالای سایت رشته مورد نظر خود را انتخاب کنید و همه فایل های رشته خودتان را ببینید