دانلود پایان نامه ارشد : رشد سطوح ناهموار و بررسی رسانندگی الکتریکی آن

دانلود متن کامل پایان نامه مقطع کارشناسی ارشد رشته فیزیک

گرایش : حالت جامد

عنوان : رشد سطوح ناهموار و بررسی رسانندگی الکتریکی آن

دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

دانشکده فیزیک- گروه حالت جامد

پایان‌نامه برای دریافت درجه کارشناسی ارشد فیزیک- حالت جامد

رشد سطوح ناهموار و بررسی رسانندگی الکتریکی آن

اساتید راهنما:

دکتر حسین حمزه­پور

دکتر سید فرهاد مسعودی

بهمن 1392

برای رعایت حریم خصوصی نام نگارنده پایان نامه درج نمی شود

(در فایل دانلودی نام نویسنده موجود است)

تکه هایی از متن پایان نامه به عنوان نمونه :

(ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است)

چکیده

در این پایان نامه، ابتدا با استفاده از روش مونت کارلو، رشد سطوحی شبیه سازی شده است که از نشست بالستیکی ذرات خطی با اندازه­های متفاوت تولید می­شوند. با بررسی زبری و نماهای مقیاسی سطوح رشد یافته، رابطه­ی Family-Vicsek برای این سطوح بررسی شده و با توجه به اهمیت تخلخل چنین سطوحی، تحولات تخلخل بعنوان تابعی از زمان و اندازه­ی ذرات مورد مطالعه قرار گرفته است. سپس با حل عددی معادله­ی رسانش در سطوح رشد یافته، رفتار رسانندگی مؤثر الکتریکی این سطوح، بر حسب کمیت­هایی چون زمان، اندازه­ی ذرات، فرکانس و تخلخل بررسی شده است.

نتایج شبیه سازی نشان می­دهند که منحنی تغییرات زبری بر حسب زمان دارای سه رفتار متفاوت می­باشد، بطوریکه دارای دو رفتار خطی با شیب­های متفاوت در زمان­های اولیه و میانی بوده و سپس به اشباع می­رسد. بررسی تخلخل نشان داد که سطوح تولید شده به شدت متخلخل هستند و تخلخل سریعتر از سطح به اشباع می­رسد. همچنین میزان تخلخل ابتدا تابعی افزایشی از طول ذرات انباشتی بوده  و پس از رسیدن به مقدار بیشینه خود با افزایش طول ذرات کاهش می­یابد.

بررسی رسانندگی مؤثر این سطوح نشان می­دهد که در طی فرآیند رشد، رسانندگی با زمان افزایش یافته و بتدریج به اشباع می­رسد. همچنین این کمیت تابعی افزایشی از فرکانس بوده و برای چندین مرتبه­ی بزرگی از فرکانس رسانندگی بصورت تابعی نمایی از فرکانس تغییر می­کند که مقادیر توان، تابعی از اندازه­ی ذرات انباشتی می باشد.

 

 

 

کلمات کلیدی: رشد سطح، زبری، نماهای مقیاسی، تخلخل، رسانندگی مؤثر، فرکانس

فهرست مطالب

عنوان                                                                                                                        صفحه

فهرست شکل‌‌ها………………………………………………………………………………………………………………………………….ت‌

فهرست جدول­ها………………………………………………………………………………………………………………………………….خ

مقدمه…………………………………………………………………………………………………………………………1

فصل 1    توصیف پدیده رشد سطح…………………………………………………………………………….7

1-1       توصیف کمی پدیده­­ی رشد…………………………………………………………………………………………………7

1-1-1        روابط مقیاس بندی………….…………………………………………………………………………………………………….9

1-1-2        طول همبستگی……………………………………………………………………………………………………………………11

1-2       مدل های رشد سطح…………………………………………………………………………………………………………12

1-2-1        مدل های گسسته………………………………………………………………………………………………………………..13

1-2-1-1     مدل انباشت تصادفی…………………………………………………………………………………………………………………13

1-2-1-2     مدل انباشت تصادفی با واهلش سطحی …………………………………………………………………………………..15

1-2-1-3     مدل انباشت پرتابی……………………………………………………………………………………………………………………17

1-2-1-4     مدل جامد روی جامد محدود شده……………………………………………………………………………………………18

1-2-2        مدل های پیوسته…………………………………………………………………………………………………………………19

1-2-2-1     معادله­ی ادوارد-ویلکینسون……………………………………………………………………………………………………..20

1-2-2-2     معادله­ی کاردر-پاریزی-ژانگ…………………………………………………………………………………………………..21

1-3       فرآیند شبیه سازی رشد سطوح توسط نشست بالستیکی ذرات میله ای شکل………………22

فصل 2     بررسی مسئله رسانش متناوب در جامدات بی نظم……………………………………….25

2-1       رسانش متناوب………………………………………………………………………………………………………………….25

2-1-1        عمومیت رسانش متناوب در جامدات بی نظم…………………………………………………………………….26

2-2       مدل ماکروسکوپیک…………………………………………………………………………………………………………..30

2-2-1        بدست آوردن رسانندگی مؤثر وابسته به فرکانس بارهای آزاد……………………………………………32

2-3       گسسته سازی معادله ی رسانش با استفاده از روش حجم محدود………………………………….34

2-4       دستگاه های خطی اسپارس………………………………………………………………………………………………37

فصل 3     نتایج عددی………………………………………………………………………………………………42

3-1       بررسی نماهای مقیاسی سطوح رشد یافته توسط نشست ذرات خطی…………………………….42

3-1-1        نشست ذرات یکسان…………………………………………………………………………………………………………….42

3-1-2        نشست ذرات با اندازه های متفاوت……………………………………………………………………………………..46

3-2       تخلخل……………………………………………………………………………………………………………………………….47

3-3       رسانندگی مؤثر………………………………………………………………………………………………………………….49

3-3-1        نحوه ی توزیع پتانسیل در سطوح بر اساس تغییر فرکانس………………………………………………..50

3-3-2        بررسی تحول زمانی رسانندگی بارهای آزاد در طی فرآیند رشد سطوح…………………………….50

3-3-3        بررسی  وابستگی رسانندگی مؤثر به اندازه ی ذرات…………………………………………………………..55

3-3-4        بررسی رابطه ی  تخلخل و رسانندگی…………………………………………………………………………………57

3-3-5        رابطه ی رسانندگی مؤثر بارهای آزاد با  فرکانس……………………………………………………………….58

بحث و نتیجه گیری……………………………………………………………………………………………………61

پیشنهادات…………………………………………………………………………………………………………….. 62

مقالات ارائه شده……………………………………………………………………………………………………...63

مراجع……………………………………………………………………………………………………………………..64

فهرست شکل‌‌ها

عنوان                                                                                                                         صفحه

شکل ‏1‑1: نمودار  زبری بر حسب زمان در حالت کلی. 8

شکل ‏1‑2: نمودار لگاریتمی تحول زمانی پهنای فصل مشترک برای مدل BD،  به ازای زیر لایه­های     مختلف با مقادیر L=100(), 200(), 400(),800(). 9

شکل ‏1‑3: نمایش شماتیکی از مراحل لازم برای باز مقیاس بندی نمودار های ناهمواری وابسته به زمان. نمودار آخر تابع مقیاس بندی  نامیده می­شود. 10

شکل ‏1‑4: مکانیزم نشست در مدل انباشت تصادفی. ذره­ی A درA’ و ذره­ی B در B’ می­نشیند. 13

شکل ‏1‑5: نمونه­ای از سطح تولید شده توسط مدل . سایه ها سطح را در زمان­های متوالی با بازه­های زمانی یکسان نشان می دهند. 15

شکل ‏1‑6: مدل نشست تصادفی با واهلش سطحی. ذره پس از نشست به مکانی با کمترین ارتفاع سقوط می­کند. 15

شکل ‏1‑7: سطح تولید شده توسط شبیه سازی مدل  در زمان های متوالی ودر بازه های زمانی یکسان. 16

شکل ‏1‑8: مدل BD با قاعده­ی چسبیدن به نزدیکترین همسایه. 17

شکل ‏1‑9: سطح تولید شده توسط شبیه سازی مدل . 18

شکل ‏1‑10:  نمایی از قاعده­ی نشست در مدل . 19

شکل ‏1‑11: مثالی شماتیک از نشست بالستیک ذرات با اندازه های مختلف بر روی سطح. 23

شکل ‏1‑12: سطح حاصل از نشست ذرات با اندازه های مختلف به ازای . 23

شکل ‏1‑13: سطوح حاصل از نشست ذرات به ازای مقادیر (الف) l=2، (ب) l=4، (ج) l=8،                       (د) l=16، (ه) l=32، ( و) l=64.. 24

شکل ‏2‑1: رسانندگی متناوب بر حسب دما و فرکانس برای دو نوع رسانش الکترونی و یونی. الف) رسانندگی فیلم الماسی پلی کریستال [3]. ب) رسانندگی                 در حالت مذاب با ویسکوزیته­ی بسیار بالا[4]. در فرکانس های پایین رسانندگی ثابت است و در فرکانس­های بالا از یک قانون توانی، با نمای زیر یک، تبعیت می­کند. 28

شکل ‏2‑2: مدارRC معادل، حاصل از گسسته سازی معادله­ی 2-12. همگی خازن­ها یکسان و متناسب با ثابت دی الکتریک بارهای مقید می­باشند. در حالیکه هر مقاومت، با معکوس رسانندگی موضعی بارهای آزاد، که وابسته به مکان است، متناسب می­باشد. 32

شکل ‏2‑3: نمایی از گسسته سازی شبکه به بلوک­های مربعی و ارتباط هر  بلوک با همسایه­های مجاورش. 35

شکل ‏2‑4: ماتریس اسپارس (الف) قطری نواری، (ب) بلوک مثلثی و (ج) بلوک سه قطری. 38

شکل ‏2‑5: نمایی از ماتریس اسپارس  برای یک شبکه­ی اولیه­ی مستطیلی با ابعاد                 . ابعاد ماتریس اسپارس تولید شده برای چنین شبکه­ای بصورت          می­باشد. 38

شکل ‏2‑6: نمایی از شبکه­ی گسسته شده به همراه خانه های اضافه شده برای اعمال شرایط مرزی. 39

شکل ‏3‑1: منحنی تغییرات پهنای زبری بر حسب زمان برای سطوح رشد یافته از انباشت ذرات خطی یکسان با طول  ، بر روی زیر لایه­هایی با اندازه­های متفاوت. نتایج ارائه شده برای        بر روی 1500 نمونه ، برای  برروی500  نمونه و برای       بر روی 200 نمونه میانگین گیری شده است. 43

شکل ‏3‑2: برازش خطی مقادیر بدست آمده برای   به ازای  زیر لایه­های مختلف. 44

شکل ‏3‑3: منحنی تغییرات پهنای زبری در حالت اشباع برای زیرلایه های مختلف، شیب بدست آمده  بیانگر نمای زبری   می­باشد. 45

شکل ‏3‑4: منحنی تغییرات لگاریتمی پهنای زبری بر حسب زمان برای سطوح رشد یافته ازنشست ذرات خطی با اندازه­های مختلف: ، بر روی زیرلایه­های متفاوت . نتایج ارائه شده برای    بر روی 1500 نمونه ، برای  برروی500  نمونه و برای        بر روی 200 نمونه میانگین گیری شده است. 46

شکل ‏3‑5: منحنی تغییرات تخلخل بر حسب زمان برای سطح در حال رشد توسط نسشت ذرات با اندازه­های متفاوت،  ، بر روی زیرلایه ای به اندازه­ی . 48

شکل ‏3‑6 : تغییرات تخلخل بر حسب اندازه­ی ذرات برای زیر لایه ای به اندازه­ی . 49

شکل ‏3‑7: توزیع پتانسیل الکتریکی برای سطح تولید شده توسط ذرات خطی با طول  برای مقادیر مختلف s. (الف) ، (ب) ، (ج) ، (د) ، (ه) ، (و) ،             (ز) ……. 51

شکل ‏3‑8: نمودار تغییرات رسانندگی بر حسب زمان در طی فرآیند رشد سطوح به ازای نشست ذرات یکسان با طول­های = 2(), 4(), 6(■), 8(), 16() l برای  های با مقادیر:              (الف) ، (ب) ، (ج) ، (د)   و (ه) . طول زیر لایه   می­باشد. 53

شکل ‏3‑9: نمودار تغییرات رسانندگی بر حسب زمان به ازای فرکانس­های:                                              ), 0.002(), 0.02(), 0.2(), 1()s = 0( برای سطوح در حال رشد توسط انباشت ذرات خطی یکسان با طول­های: (الف) ، (ب) ، (ج)  و (د) . طول زیر لایه  می­باشد. 54

شکل ‏3‑10: مقادیر حسب  برای سطوح رشد یافته از ذرات یکسان با طول­های   . برای همه­ی سطوح  است. () بیانگر لگاریتم مقادیر  برای هر سطح و )( شیب حاصل از برازش داده­ها می­باشد. 55

شکل ‏3‑11: نمودار تغییرات  بر حسب  . برای  و به ازای فرکانس­های:             (+),  (),  (), (),  (♦),  (),  (■),  (). 56

شکل ‏3‑12: نمودار تغییرات  بر حسب ، به ازای  و برای فرکانس­های        (+),  (),  (), (),               (♦),  (),  (■),  (). 57

شکل ‏3‑13: مقادیر   بر حسب تخلخل سطوح رشد یافته از نشست ذرات یکسان با         طول­های:   ، به ازای . 58

شکل ‏3‑14: نمودار تغییرات  بر حسب  ، برای سطوح رشد یافته از نشت ذرات یکسان به ازای: l=256(+),128(), 64(), 16(), 12(*), 8(), 6(), 4(), 2(). 59

شکل ‏3‑15: شیب منحنی­های نمودار 3-13به ازای بازهایی از فرکانس که تغییرات رسانندگی در آنها بصورت خطی است و برای l=16(),12(), 8(*), 6(■), 4(), 2(). 60

شکل ‏3‑16: تغییرات لگاریتمی شیب­های حاصل از نمودارهای شکل 3-15 بر حسب اندازه ذرات. () بیانگر مقدار شیب­ها است و () شیب حاصل از برازش خطی این داده­ها می­باشد. 60

 

 

 

 

فهرست جدول­ها

عنوان                                                                                                                          صفحه

جدول 3-1: نماهای مقیاسی رشد و زبری برای سطوح رشد یافته از نسشت ذرات خطی یکسان بر روی زیر لایه­ای با طول . نتایج ارائه شده به ازای 200 بار میانگین گیری می­باشد و میانگین خطای کلیه­ی داده­ها از مرتبه­ی  وکوچکتر از آن است………………………………………………………………………………………………………………………………………45

جدول3-2: نماهای رشد و زبری سطوح رشد یافته از نشست ذرات با طول­های متفاوت برای زیر    لایه­ای با طول . میانگین خطای کلیه­ی داده­ها از مرتبه­ی   و کوچکتر از آن  می­باشد………………………………………………………………………………………………………………………47

مقدمه

مطالعه­ی فرآیند رشد و ساختار سطح کاربردهای عملی فراوانی در علوم و تکنولوژی دارد و بخش عمده ای از فیزیک حالت جامد و علم مواد را تشکیل می­دهد. در واقع اکثر خواص مواد به ساختار و نحوه شکل گیری آنها وابسته است. فرآیندهای رشد سطح نه تنها در گستره­ی وسیعی از کاربردهای فیزیکی بلکه در شیمی، بیولوژی و علوم مهندسی نیز نقش مهمی را ایفا می کند. از این رو تا کنون تحقیقات فراوانی مبتنی بر روشهای عددی و یا تحلیلی برای بررسی خواص گوناگون فرآیندهای رشد سطح صورت گرفته است[[i]و[ii]].

در واقع شکل گیری سطوح می­تواند ناشی از فرآیندهای متفاوتی باشد. برخی سطوح در نتیجه­­ی حرکت و گسترش فصل مشترک[1] ایجاد شده از شارش سیال در محیط های ناهمگن یا بی نظم شکل می گیرند که بطور مثال به سطوح حاصل از پیشروی آب یا جوهر در کاغذ می­توان اشاره کرد. برخی دیگر از سطوح در اثر کاهش ذرات بوجود می آیند، مانند سطوحی که در اثر  فرسایش، خوردگی و یا پوسیدگی ایجاد می­شوند[[iii]]. سطوحی نیز در اثر اضافه شدن ذرات رشد می کنند مانند باکتریها، تومورها و بافتهای بیولوژیکی [3و[iv]] و یکی از مهمترین سطوحی که توسط فرآیندهای رشد شکل    می­گیرند، لایه های نازک هستند که از انباشت های اتمی حاصل می شوند[5-8] و بدلیل خواص ویژه­ای که دارند کاربردهای فراوانی در علوم و تکنولوژی دارند.

همگی این سطوح در طی فرآیند رشد، زبر یا ناهموار می­شوند که این ویژگی ناشی از ماهیت تصادفی فرآیند رشد می باشد که نقشی اساسی در شکل­گیری نهایی سطح مشترک دارد. لازم به ذکر است که منشأ این تصادف بستگی به فرآیند رشد مورد مطالعه دارد. بعنوان مثال درمورد پیشروی آب یا جوهر در کاغذ، منشأ این تصادف طبیعت بی‌نظم محیطی است که  فصل مشترک درآن گسترش می­یابد و در فرآیند انباشت اتمی، تصادفی بودن مکان­­هایی که شار ذرات فرودی در بازه­های زمانی نامعین تصادفی به آنها می رسند و همچنین حرکت براونی [2]ذرات روی سطح در طی فرآیند پخش سطحی مسئول این ماهیت تصادفی است.

زبری سطوح روی خواص آن اثر می­گذارد. بعنوان مثال زبری در خواص اپتیکی لایه­های نازک و پراکندگی مؤثر از این لایه­ها نقش مهمی بر عهده دارد[9]، همچنین در چسبندگی لایه­ها به یکدیگر و اصطکاک آنها و یا خاصیت الکتریکی لایه­ها مؤثر است[10-12].

در مطالعه­ی فرآیندهای رشد علاوه بر ساختار نهایی سطح، دینامیک رشد یعنی تحول زمانی سطح نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. در حقیقت بررسی تحول ناهمواری یا زبری سطح در طی پدیده­ی رشد می­تواند کمک بسزایی در فهم و کنترل این پدیده داشته باشد و از لحاظ کاربردی مهم باشد[13-15].

یکی از مفاهیم مدرنی که برای مطالعه­ی دینامیک زبری مورد استفاده قرار می­گیرد مقیاس بندی[3] است. در واقع بسیاری از کمیت­های قابل اندازه­گیری از روابط مقیاس بندی[4] ساده­ای تبعیت می­کنند. بعنوان مثال برای تعداد زیادی از سیستم­ها پهنای فصل مشترک با توانی از زمان افزایش می­یابد و در یک مقدار معین اشباع می­شود که این مقدار بصورت یک قانون توانی با سایز سیستم افزایش می یابد.

مطالعه­ی چنین روابط مقیاس بندی به ما اجازه می­دهد تا کلاس­های جهانی[5] را تعریف کنیم. مفهوم جهان شمولی که محصول مکانیک آماری مدرن می­باشد، به بیان این حقیقت می­پردازد که فاکتورهای ضروری کمی هستند که در تعیین نماهای مشخص کننده­ی روابط مقیاسی نقش دارند. بنابراین سیستم­هایی که در نگاه اول هیچ ارتباطی بین آنها وجود ندارد رفتار یکسانی دارند یعنی دارای نماهای بحرانی یکسانی هستند و در یک کلاس جهانی قرار می­گیرند.

شکل­گیری و تغییر ناهمواری سطوح در حال رشد تحت تأثیر عوامل زیادی است که  تقریباً تشخیص همه­ی آنها غیر ممکن است. یک دانشمند همیشه امیدوار است که تعداد کمی قوانین اصلی برای تعیین شکل و دینامیک سطوح موجود باشد که بتوان با در نظرگرفتن آنها به معرفی مدل­هایی پرداخت که خواص اساسی فرآیند رشد را توصیف می کنند.

در چند دهه­ی اخیر مطالعات زیادی برای بررسی دینامیک رشد لایه­های نازک انجام شده و مدل های زیادی ارائه گردیده که با توجه به این مدل­ها مشخصاتی که از این سطوح بدست می­آید متفاوت است. از جمله­ی این مدل­ها می­توان به مدل انباشت تصادفی[6][1]، مدل انباشت تصادفی با واهلش سطحی[7][16]، مدل انباشت پرتابی[8][17و18]، مدل جامد روی جامد محدود شده[9][19] و مدل     کاردر –پاریزی-ژانگ[10][20] اشاره کرد. مدل­های دیگری نیز پیشنهاد شده که در آنها دو یا چند مدل انباشت با هم ترکیب شده اند[21و22] و یا نشست دو نوع ذره مورد بررسی قرار گرفته است[23-25] تا بتوان با استفاده از آنها زبری سطوح واقعی را توصیف کرد. همچنین اخیراً نشست ذرات با اندازه­های مختلف به­روش انباشت تصادفی مورد بررسی قرار گرفته است[26-28]. نشست ذرات با اندازه­های مختلف یکی از راه­های تولید سطوح متخلخل است که این سطوح کاربردهای فراوانی در حافظه های مغناطیسی[29]، سلول های خورشیدی[30] و نانولوله­های کربنی[31و32] دارند.

لایه­های نازک رسانا، نیمه­رسانا و دی­الکتریک، کاربردهای بسیاری در ساخت افزاره­های فعال و غیر فعال بکار رفته در ابزارآلات الکترونیکی حالت جامد دارند. معمولاً از آنها بعنوان ترکیباتی با ثابت    دی­الکتریک پایین، سنسور­ها، پوشش­­های اپتیکی، مواد عایق و غیره استفاده می­شود. بنابراین بررسی  خواص انتقالی از جمله رسانندگی الکتریکی نها از اهمیت ویژهای آنها از اهمیت ویژه ای برخوردار است و برای مدت های طولانی بصورت  عملی و نظری مورد مطالعه بوده است[33].

در طی چند دهه­ی اخیر مطالعات زیادی روی رسانندگی وابسته به فرکانس جامدات بی نظمی چون؛ نیمه رساناها­ی آمورف[11]، شیشه­های یونی[12] ، پلیمرها[13] ، کریستال­های غیر کامل[14] و … انجام شده است[34-40]. به منظور بررسی مشاهدات تجربی مدل های متعددی ارائه گردیده است[41-43]. بیشترین مطالعات روی مدلی به نام مدل جهشی صورت گرفته است[44و45]. این مدل براساس پرش حامل­های بار در یک محیط تصادفی که معمولاً با یک شبکه نمایش داده می­شود توصیف    می­شود. برای وارد کردن اثر بی­نظمی محیط در این مدل، معمولاً نرخ گذار، یعنی احتمال پریدن حامل­­های بار از یک مکان به مکان­های دیگر، بصورت تابعی نمایی از انرژی فعال سازی یا فاصله­ی تونل زنی در نظر گرفته می­شود که تنها برای پرش به نزدیکترین همسایه­ها غیر صفر است. مدل جهشی تنها در یک بعد حل دقیق دارد و در ابعاد بالاتر از روش­های تقریبی برای حل آن استفاده  می­شود. این تقریب­ها یک تصویر کیفی از بسیاری از خواص رسانش متناوب فراهم می­کند ولی مقادیر آنها برای تعیین دقیق رسانندگی وابسته به فرکانس  دقیق نیست. در مدل جهشی معمولاً فرض بر این است که حامل­های بار با یکدیگر بر هم کنش ندارند. بنابراین اثر خود طردی که بنا بر آن در هر مکان شبکه تنها یک ذره می­تواند وجود داشته باشد و همچنین اثر برهم کنش کلونی نادیده گرفته می­شود. با وارد کردن این اثرات مدل بسیار پیچیده می­شود[46]. به منظور وارد کردن بر هم کنش های کولنی از یک مدل ماکروسکوپیک استفاده می­شود. این مدل از نظر مفهومی از مدل­های جهشی ساده­تر است و براساس اثر معروف ماکسول-واگنر یعنی اثری که در آن ناهمگنی محیط باعث وابستگی رسانندگی به فرکانس می­شود شکل گرفته است[47].

در این پروژه در ابتدا با استفاده از روش مونت کارلو به شبیه سازی فرآیند رشد سطوحی         می­پردازیم که از نشست ذرات خطی با اندازهای متفاوت در (1+1) بعد ساخته می­شوند. ذرات خطی با استفاده از مدل انباشت پرتابی(BD) برروی یک سطح تخت می­نشینند. با مطالعه تحول زبری بر حسب زمان، رابطه­ی مقیاس بندی فامیلی-ویچک[15] برای این فرآیند رشد بررسی می­شود و با بدست آوردن نماهای مقیاسی، کلاس جهانی نشست ذرات با اندازه­های متفاوت با استفاده از مدل BD مورد مطالعه قرار خواهد گرفت و با توجه به اهمیت تخلخل در چنین سطوحی، چگونگی فرآیند رشد تخلخل با زمان و وابستگی آن به اندازه­ی ذرات مطالعه خواهد شد. سپس با در نظر گرفتن اهمیت خواص رسانندگی چنین سطوحی و تأثیر ساختار و نحوه­ی شکل­گیری آنها روی این خواص، به مطالعه­ی رسانندگی مؤثر وابسته به فرکانس و همچنین رسانندگی مستقیم سطوح رشد یافته، با حل عددی معادله­ی رسانش در این سطوح، خواهیم پرداخت. تحول زمانی رسانندگی همزمان با  فرآیند رشد سطوح را مورد بررسی قرار می­دهیم و به مطالعه­ی وابستگی رسانش مؤثر به اندازه­ی ذرات، میزان تخلخل سطوح و فرکانس می­پردازیم.

ساختار این پایان نامه بصورت زیر می­باشد:

در فصل اول ابتدا به چگونگی توصیف کمی پدیده­ی رشد سطح و معرفی کمیت­هایی چون زبری، نماهای مقیاسی و طول همبستگی پرداخته و به اختصار چند مدل بنیادی رشد سطح معرفی می­شود. سپس به توضیح شبیه سازی انجام شده برای فرآیند رشد سطوح توسط نشست ذرات خطی با مدل BD می­پردازیم.

در فصل دوم به بررسی مسئله رسانش در جامدات بی نظم و بدست آوردن معادلات رسانش در

آنها پرداخته می­شود، معادله­ی بدست آمده گسسته می­شود و با حل معادلات گسسته شده، مقادیرپتانسیل برای تمام نقاط سطح، جهت محاسبه­ی رسانندگی ماکروسکوپیک سطوح رشد یافته، بدست می آید.

و در نهایت در فصل سوم ابتدا نتایج مربوط به شبیه سازی فرآیند رشد سطوح ارائه می­شود. سپس رفتار رسانندگی مؤثر سطوح تولید شده مورد بررسی قرار می­گیرد.

تعداد صفحه : 89

قیمت : 14000تومان

بلافاصله پس از پرداخت ، لینک دانلود پایان نامه به شما نشان داده می شود

و در ضمن فایل خریداری شده به ایمیل شما ارسال می شود.

پشتیبانی سایت :        09199970560        info@arshadha.ir

در صورتی که مشکلی با پرداخت آنلاین دارید می توانید مبلغ مورد نظر برای هر فایل را کارت به کارت کرده و فایل درخواستی و اطلاعات واریز را به ایمیل ما ارسال کنید تا فایل را از طریق ایمیل دریافت کنید.

شماره کارت :  6037997263131360 بانک ملی به نام محمد علی رودسرابی

11

مطالب مشابه را هم ببینید

فایل مورد نظر خودتان را پیدا نکردید ؟ نگران نباشید . این صفحه را نبندید ! سایت ما حاوی حجم عظیمی از پایان نامه های دانشگاهی است. مطالب مشابه را هم ببینید. برای یافتن فایل مورد نظر کافیست از قسمت جستجو استفاده کنید. یا از منوی بالای سایت رشته مورد نظر خود را انتخاب کنید و همه فایل های رشته خودتان را ببینید